Samsung presentó tres nuevas tecnologías de memoria, zHBM, zNAND-O y BV-NAND, en la conferencia Future of Memory and Storage 2026, destinadas a aplicaciones de inteligencia artificial y de uso general. Todas estas tecnologías se han desarrollado basándose en la tecnología de wafer bonding.
El zHBM está diseñado para ofrecer un rendimiento 8 veces mayor, una densidad de memoria 10 veces superior, una eficiencia energética 3 veces mejor y una resistencia térmica un 50% menor en comparación con el HBM5. Sin embargo, las afirmaciones de Samsung son inciertas debido a que el estándar HBM5 aún no está completamente definido.
El zNAND-O se ha desarrollado para ofrecer baja latencia y alto rendimiento de E/S, siendo adecuado para sistemas de inteligencia artificial en el borde. Por su parte, el BV-NAND ofrece mayores velocidades de E/S y densidad de almacenamiento gracias a la tecnología V-NAND de 400 capas.