Chicago Üniversitesi Moleküler Mühendislik Okulu'nda yapılan bir araştırma, Fe5GeTeTe2 adlı 2D malzemenin elektronların yavaş ve kolektif hareket ettiği bir yük sıralı durumda olduğunu ortaya koydu. Bu durum, malzemenin teorik tahminlerden saparak yeni bellek cihazları için potansiyel oluşturuyor.

Malzemenin elektron bandı düz olduğu tespit edildi, bu da elektronların normalden çok daha yavaş hareket ettiğini gösteriyor. Bu durum, milyonlarca elektronun bir arada hareket ettiği bir kuantum çok cisimli olgusudur ve malzemenin manyetik etkileşimlerinin teorik tahminlerden farklı olduğunu gösteriyor.

Araştırmacılar, bu fenomenin bellek depolama sistemlerinde bilgi kodlamak için kullanılabileceğini ve malzemenin oda sıcaklığında çalışabilmesi için çalışmalarını sürdürdüklerini belirtti.