Kyoto Üniversitesi araştırmacıları, silikon karbür (SiC) tabanlı bir JFET transistörünün 600 °C'de sorunsuz çalıştığını duyurdu. Çalışma, 17 Ağustos 2026'da APL Electronic Devices dergisinde yayımlandı.

Yeni tasarım, geleneksel üst‑kapı yapısının yerine alt‑kapı mimarisi ve iyi tabanlı izolasyon kullandı; bu sayede eşik gerilimi kontrolü iyileşti ve yüksek sıcaklıklarda sızıntı akımı teorik sınıra yaklaştı. Önceki top‑gate JFET'lerde kontrol zorluğu ve yüksek sızıntı akımı temel engellerdi.

Teknoloji hâlâ pratik sistemlere entegrasyon aşamasında; daha karmaşık devreler, wafer‑seviyesinde üretim ve aşırı ortam koşullarına dayanacak paketleme çözümleri geliştirilmesi gerekiyor. SiC'nin olgun bir güç cihazı malzemesi olduğu vurgulanıyor, ancak ölçekli uygulamalara geçişte önemli adımlar kaldı.