Hint Bilim Enstitüsü'nden (IISc) araştırmacılar, bir malzemeyi iki temel manyetik durum arasında elektrik akımıyla geçiş yapmasını gösterdi. Bu keşif, enerji verimli bellek ve mantık cihazları için yeni bir yol açabilir. Araştırmacılar, Sm₁₋ₓSrₓMnO₃ adlı karmaşık oksidi incelendi ve elektrik akımının malzemenin manyetik durumunu değiştirebileceğini keşfetti. Bu geçiş, malzemenin ferromanyetik durumundan antiferromanyetik duruma geçişini içeriyor ve bu durumlar arasında elektrik direnci değişiyor.
Elektrik akımıyla tetiklenen bu geçiş, malzemenin manyetik fazını değiştiriyor ve bu, kriyojenik bellek ve mantık teknolojileri için yararlı olabilir. Araştırmacılar, bu geçişin tersine olabilir olduğunu ve malzemenin elektronik orbitallerinin yeniden düzenlendiğini gösterdi. Bu, malzemenin manyetik durumunu değiştirmek için yalnızca manyetizasyonu ters çevirmekten farklı bir yaklaşım sunuyor.
Araştırmacılar, bu keşfin kriyojenik bellek ve mantık devreleri için umut verici olduğunu belirtiyor. Şu anda, geçiş için gereken akım ve enerjiyi azaltmak, cihazı geniş bir çalışma sıcaklığı aralığına uyarlamak ve bu cihazları daha büyük kriyojenik bellek ve mantık devrelerine entegre etmek üzerine çalışıyorlar.