MIT ve diğer kurumlardan araştırmacılar, hava kararlı ve tek atom kalınlığındaki niobium diselenide süper iletkeni, grafen altından büyütme yöntemiyle wafer ölçeğinde üretti. Bu yöntem, süper iletkeni oksidasyondan korurken, düzgün bir katman halinde büyütmesini sağlıyor. Üretilen malzeme, kuantum devrelerine entegre edildiğinde süper iletkenlik özelliklerini koruyor ve yüksek kinetik indüktans gösteriyor.

Niobium diselenide, yüksek kinetik indüktans özelliğiyle, kuantum cihazlarda daha küçük alanlarda daha fazla enerji depolamayı sağlıyor. Bu malzeme, Josephson junciton dizilerinin yerine geçerek, kuantum devrelerini daha kompakt hale getirebilir. Ancak, hava kararlı olmaması nedeniyle, bu malzemenin wafer ölçeğinde üretimi zorluyordu. Yeni yöntem, bu sorunu çözerek, malzemenin hava kararlı hale gelmesini sağlıyor.

Araştırmacılar, bu yöntemin yalnızca niobium diselenide ile sınırlı olmadığını, geniş bir malzeme ailesine uygulanabileceğini gösterdi. Gelecekte, bu malzemelerin fonksiyonel cihaz mimarilerine entegrasyonu, temel fizik ve kuantum cihaz prototipleri için yeni yollar açabilir.