Rice Üniversitesi araştırmacıları, mangan tellerürde tek bir manyetik alanı izole ederek, materyalin manyetik yapısını daha net görmelerini ve elektrik sinyallerini kontrol etme yöntemi buldular. Bu çalışma, altermanyetizm adında yeni tanınan bir manyetizm türüne odaklanıyor ve spin tabanlı elektronik cihazlar için farklı bir yol sunuyor. Mangan tellerür normalde çoklu manyetik alanlar oluştururken, araştırmacılar uniaxial gerilim uygulayarak materyali tek bir alana zorladılar ve böylece manyetik yapısını daha net ölçebildiler.
Gerilim uygulandığında, mangan tellerürde 230 kelvin (eksi 45 Fahrenheit) civarında, Hall sinyalinin polaritesini değiştirebildiği gözlendi. Bu, materyalin manyetik etkileşimlerini önemli ölçüde değiştirmeden elektrik yanıtının değiştirilebileceğini gösteriyor. Araştırmacılar, bu gerilimin Berry eğriliği adında elektronların materyalin elektronik yapısında hareket ederken davranışlarını tanımlayan bir özelliği değiştirerek bu etkiden kaynaklandığını düşünüyorlar.
Bu çalışma, altermanyetlerin gelecekteki bellek ve yüksek frekanslı elektronik cihazlarda kullanımı için bir adım daha yaklaştırıyor. Araştırmacılar, bu yöntemin pratik elektronik cihazlarda manyetik özellikleri kontrol etmek için kullanılabileceğini öngörüyorlar.