Edinburgh Üniversitesi araştırmacıları, yapay zekâ ve veri yoğun teknolojilerin hızla büyüdüğü bir dönemde, manyetik bellek teknolojilerinde veri işleme enerjisini onlarca kat azaltan bir teorik çerçeve geliştirdi. Bu çerçeve, optimal kontrol teorisini kullanarak, manyetik durum geçişlerini minimum enerji ile gerçekleştiren manyetik alan darbeleri tasarlamaktadır.

Çalışma, mevcut DRAM, STT-MRAM ve SOT-MRAM teknolojilerine göre onlarca kat daha düşük enerji tüketimi sağlayabileceğini göstermektedir. Bu, veri işleme için gerekli minimum enerji olan Landauer sınırına daha yakın bir performans anlamına gelmektedir. Araştırmacılar, bu çerçevenin uygulama için pratik kılavuzlar da sunmaktadır.

Araştırmanın lideri Dr. Elton Santos, bu yöntemin manyetik alan darbelerine ek olarak, elektrik akımları ve ultra hızlı lazer darbeleri gibi diğer teknolojilerde de uygulanabileceğini belirtmektedir. Bu, gelecekteki veri depolama teknolojileri için geniş bir uygulama yelpazesi sunmaktadır.