Rice Üniversitesi ve Minnesota Üniversitesi araştırmacıları, ultradünce rutenyum dioksit (RuO2) malzemesinde manyetik davranış keşfetti. Bulk formu manyetik olmayan bu malzeme, atomik katman kalınlığında ve kristal yapısında gerilim uygulandığında altermanyetizm gösterdi. Bu, daha hızlı ve yoğun bellek çiplerinin gelişimine yol açabilir.

Kuantum ölçekteki elektron spin yapısını haritalamak için spin çözümlü açısal çözümlü fotoelektrik spektralite yöntemi kullanıldı. Teorik hesaplamalar ve deneysel veriler, rutenyum dioksidin manyetik özelliklerinin kalınlığına ve gerilime bağlı olduğunu gösterdi. Bu, spintronik ve RAM mimarilerinde yeni kontrol mekanizmaları sunabilir.

Buluş, kuantum malzemelerin karmaşıklığını anlamak ve manipüle etmek için hassas hazırlama ve ölçüm tekniklerinin önemini vurguluyor. Araştırmacılar, bu malzemenin manyetik durumunu kontrol edebilmenin, gelecek nesil teknolojiler için kilit olabileceğini belirtiyor.