KioxiaとSanDiskは、Future of Memory and Storageカンファレンスで、332層のアクティブ層と4,800 MT/sインターフェースを備えたBiCS10 3D QLC NANDメモリチップを発表した。このチップは、37 Gb/mm²の面密度を持ち、世界で最も高密度な3D NANDメモリチップであり、データセンター向けの高容量SSDで使用されるように設計されている。

このチップは1.33 Tbの容量を持つと見込まれており、KioxiaとSanDiskのPI-LTT技術により、消費電力を低減しながら高速I/Oパフォーマンスを提供している。この技術は、データセンターでのエネルギー効率とパフォーマンスのバランスを取るために開発された。

KioxiaとSanDiskは、BiCS10 3D QLC NANDチップを主にデータセンター向けに設計されたSSDで使用する計画である。このチップは、高容量とパフォーマンスが求められるアプリケーションに最適なソリューションを提供する。