Intel, en la conferencia Hot Chips, anunció que el proceso de fabricación 18A‑P proporciona un 30 % más de frecuencia de operación a bajo voltaje. Esta mejora se utilizará en los procesadores Diamond Rapids Xeon y Nova Lake Core, programados para su lanzamiento el próximo año.
Los transistores GAA (Gate‑All‑Around) y la distribución de energía posterior (BSPD), junto con la arquitectura de doble contacto denominada Power Boost, reducen las pérdidas por resistencia a bajo voltaje, permitiendo el aumento de frecuencia. Las mediciones indican que, a 0,5 V, se logra un 30 % más de frecuencia, un 9 % más de rendimiento al mismo consumo o un ahorro de energía del 18 % al mismo nivel de rendimiento, en comparación con núcleos FinFET de la misma categoría.
Intel señaló que las latencias de interconexión a alto voltaje siguen siendo limitantes y que está investigando técnicas avanzadas de materiales y empaquetado, como interconexiones de rutenio y lógica en capas, para abordar este problema. Los nuevos chips podrán alcanzar hasta 256 núcleos y, con un diseño de E/S centralizado, ofrecerán un mejor acceso a la memoria para cargas de trabajo de IA a gran escala.