El análisis del conjunto de chips Kirin 9030 de Huawei reveló importantes avances en la tecnología de producción de tercer generación de 7nm de SMIC, denominada N+3. Según el análisis de SemiAnalysis, este proceso posee un espaciado metálico más estrecho que la tecnología Intel 18A y supera en densidad de transistores al proceso N6 de TSMC.
El proceso N+3 de SMIC ofrece un espaciado metálico mínimo de 32,5 nm, superando nominalmente el espaciado de aproximadamente 36 nm utilizado en muchas celdas de alto rendimiento de Intel 18A. Además, la densidad de transistores estimada es de aproximadamente 113,4 millones de transistores por milímetro cuadrado (Mtr/mm²), superior a los 107,7 Mtr/mm² del proceso N6 de TSMC, que sí utiliza litografía EUV.
Lograr esta alta densidad de transistores fue posible gracias al uso por parte de SMIC de técnicas de múltiple patterning DUV, sin litografía EUV, particularmente el autoalineado cuádruple patterning en las capas más críticas, junto con una optimización integral de diseño-tecnología (DTCO). Sin embargo, estos métodos aumentan la complejidad de producción, los costos y los riesgos de rendimiento.
A pesar de alcanzar esta densidad, el rendimiento del Kirin 9030 se mantiene en niveles comparables a los de los procesadores insignia de hace aproximadamente tres años, y se considera menos eficiente energéticamente que sus competidores modernos. Esto demuestra que la densidad de transistores por sí sola no determina la competitividad general del proceso; tecnologías como Intel 18A ofrecen no solo mayor densidad, sino también una eficiencia de rendimiento significativamente mejor.