El CEO de Intel, Lip‑Bu Tan, destacó que la compañía planea reincorporarse al segmento de memoria y que la memoria ya no es solo una mercancía. Al referirse a las nuevas soluciones de DRAM 3‑D‑stack, insinuó que están trabajando en “una nueva arquitectura de memoria”.
El plan busca lanzar los proyectos denominados XBM y ZAM a principios de la próxima década y cuenta con el apoyo de Seok‑Hee Lee, exejecutivo de SK Hynix, quien lidera las unidades de empaquetado avanzado y fundición. Mientras que los intentos anteriores de Intel con Optane y HMC tuvieron una demanda limitada, los competidores encontraron más atractivas las HBM y las pilas multicapa en términos de costo‑rendimiento.
Los detalles técnicos aún no se han revelado; se prevé que ZAM se presente entre 2029‑2030 y que XBM se introduzca a principios de la próxima década. El éxito dependerá de la capacidad de superar los problemas de integración de DRAM del pasado y de cubrir la creciente brecha de memoria en los centros de datos orientados a IA.