La recopilación semanal publicada para los suscriptores de Tom's Hardware Premium anuncia que la base de datos de comparación de hardware Bench 2.0 ha sido completamente rediseñada. Además, se menciona que China tiene como objetivo producir máquinas de litografía de inmersión DUV de 7 nm para 2030, y que este proceso, que involucra a más de 3.000 trabajadores, se conoce como el 'Proyecto Manhattan'. Por otro lado, Samsung ha presentado tres nuevas tecnologías de memoria: zHBM, zNAND-O y BV-NAND.
La hoja de ruta de TSMC para la óptica empaquetada (CPO) alcanza velocidades de banda de hasta 400 Gb/s, y destacan los CPU con chiplet OCI de Intel, la ruta de CPO de turno de Samsung Foundry y la plataforma OCI-MSA de GlobalFoundries. Se espera que zHBM ofrezca un rendimiento 8 veces mayor que HBM5, mientras que zNAND-O permite la pila de cuatro u ocho capas de NAND en dies de lógica, y BV-NAND se destaca como la más cercana a la décima generación de V-NAND de Samsung.
Sin embargo, China sigue dependiendo de las máquinas de litografía DUV de ASML, que están sujetas a controles de exportación, y empresas como Huawei muestran interés en este proyecto. Además, los planes de CXMT para aumentar la producción de DRAM podrían verse afectados por la Ley MATCH, y la adquisición de herramientas necesarias para expandir la capacidad de wafer también plantea desafíos.