Samsung Foundry anunció su hoja de ruta actualizada de tecnologías de fabricación en la Conferencia de Litografía y Patrones de Próxima Generación de 2026. La empresa retrasó el nodo de 1.4nm hasta 2029 para centrarse en el desarrollo de nodos de 2nm y, a partir de 2030, apoyará nodos de 1nm y menores con litografía EUV de alta NA. Este cambio estratégico muestra que Samsung está reasignando sus recursos para hacer que los nodos de 2nm sean más eficientes y competitivos comercialmente.
El retraso de Samsung en el nodo de 1.4nm de 2027 a 2029 puede interpretarse como una decisión para ralentizar su posición de liderazgo. Esta decisión también puede estar relacionada con el acuerdo a largo plazo firmado con Tesla para suministrar los procesadores AI5 y AI6 hasta 2033. Además, el plan de Samsung para adoptar películas pelliculares para máscaras EUV puede requerir una revisión de sus procesos de producción.
Se menciona que el nodo de 1nm de Samsung coexistirá con una versión llamada SF1.4+. Este enfoque indica que la empresa planea utilizar tanto el nodo innovador de 1nm con litografía EUV de alta NA como continuar con una tecnología basada en flujos y materiales EUV de baja NA comprobados.