Samsung está impulsando los límites de memoria y almacenamiento para aceleradores de IA con su tecnología zHBM presentada en FMS 2026. Esta nueva tecnología coloca los stacks de memoria HBM directamente sobre los chips de IA, aumentando las velocidades de transferencia de datos y triplicando la eficiencia energética.
El zHBM ofrece ocho veces más rendimiento y diez veces más densidad de memoria en comparación con las soluciones HBM5 actuales. Además, reduce la resistencia térmica a la mitad, disminuyendo los requisitos de refrigeración. Samsung señala que esta tecnología aún está en una etapa temprana, pero está trabajando en soluciones de próxima generación para aceleradores de IA.
La tecnología V10 BV-NAND de Samsung aumenta la densidad de almacenamiento en un 58% mediante un método de conexión híbrida de más de 400 capas. Esta tecnología también mejora el rendimiento de lectura, escritura y entrada/salida. Samsung ve esta tecnología como el primer paso en sus esfuerzos para desarrollar soluciones de almacenamiento de más de 1000 capas.