Sandisk y SK hynix, a través del Open Compute Project, presentan oficialmente la especificación de High Bandwidth Flash (HBF). Esta tecnología combina la durabilidad de la 3D NAND con el rendimiento de la High Bandwidth Memory (HBM) para ofrecer una nueva capa de memoria para los marcos de inteligencia artificial.
Los paquetes HBF, utilizando pilas de die de NAND 8-Hi o 16-Hi, pueden alcanzar hasta 512 GB de capacidad y proporcionar un ancho de banda que varía desde 0,4 TB/s hasta 3,0 TB/s.
HBF, utilizando el estándar Universal Chiplet Interconnect Express (UCIe), facilita la integración con plataformas de computación heterogénea. Esta tecnología supera el límite de 64 GB de las pilas de memoria HBM4, proporcionando hasta 512 GB de memoria. Sin embargo, el ancho de banda máximo de HBF (3 TB/s) no superará la latencia de HBM4.
La especificación HBF, además de los objetivos de capacidad y rendimiento, define también las características eléctricas e de interfaz, las directrices de empaquetado y fiabilidad, y los requisitos de I/O de software. Actualmente, estas especificaciones no han sido publicadas oficialmente por el OCP.