Navitas Semiconductor y Magnachip Semiconductor han firmado una alianza estratégica para acelerar la adopción de tecnologías de carburo de silicio (SiC) en los mercados de alta tensión (HV) y ultra alta tensión (UHV). Magnachip licenciará la tecnología GeneSiC Trench-Assisted Planar (TAP) de Navitas para entrar en tecnologías SiC de 1200 V, 2300 V, 3300 V y tensiones más altas. Esta licencia permitirá a Magnachip desarrollar soluciones para aplicaciones de transformación de energía de próxima generación basadas en las plataformas de dispositivos SiC probados de Navitas.
Navitas proporcionará a Magnachip acceso a la cadena de suministro y materiales de SiC para apoyar una entrada más rápida en el mercado. Las empresas trasladarán la tecnología a las instalaciones de producción de Magnachip en Corea del Sur, donde se someterá a control de calidad y se internalizará. Este enfoque acelerará la entrada de Magnachip en la tecnología SiC y mantendrá la continuidad de la base de tecnología y materiales establecida de Navitas.
Estas tecnologías apoyarán aplicaciones de próxima generación como infraestructura energética y de red, almacenamiento de energía, electrificación industrial, automotriz y otros sistemas de alta potencia. La alianza va más allá de la tecnología SiC, combinando el liderazgo de Navitas en nitruro de galio (GaN) y semiconductores de potencia SiC con las plataformas de soluciones de semiconductores de potencia analógicos y de señal mixta de Magnachip.
Navitas Semiconductor es líder en semiconductores de potencia de próxima generación que impulsan la innovación en centros de datos de IA, computación de alto rendimiento, infraestructura energética y de red, electrificación industrial, entre otros. Magnachip Semiconductor diseña y fabrica plataformas de soluciones de semiconductores de potencia analógicos y de señal mixta para aplicaciones industriales, automotrices, de comunicación, de consumo y de computación.