Hybrid bonding, bakır‑bakır birleştirme yöntemi, mantık çiplerinde yüksek hacimli üretime girdi ancak bellek uygulamaları ertelendi. TSMC, SoIC platformunda bağlama aralığını 9 mikrondan 6 mikrona indirdi ve 2026’da Intel, Clearwater Forest sunucu işlemcisinde Foveros Direct’i piyasaya sürdü; AMD ise 3D V‑Cache ürünlerinde bu tekniği kullanıyor.

Teknik olarak, iki die düzleştirilip 200‑300 °C’de 0,2 nm’den daha az bir yüzey varyasyonu ile birleştiriliyor; bu sayede kare milimetrede 14 000 sinyal gibi 2,5D mikro‑bump yığınının 1 500 sinyaline kıyasla çok daha yüksek yoğunluk sağlanıyor. JEDEC’in HBM paket yüksekliğini 720 µm’den 775 µm’ye yükseltmesi, HBM4’ün hâlâ mikro‑bump ile üretileceğini ve hybrid bonding’in bellek pazarına geçişini geciktirdi.

HBM4E ve HBM5’te hybrid bonding’in kullanılacağı öngörülse de, bu teknoloji hâlâ yüksek maliyetli temizlik ve hizalama gerektirdiği için tam ölçekli benimsenmesi zaman alıyor; SK hynix ve Micron gibi firmalar 2027‑2028’de paketleme tesisleri kurarken, Adeia’nın AMD’ye karşı açtığı patent davası ve Çin’in sınırlı litografi erişimi gibi faktörler de ilerleyişi etkileyebilir.