Intel, Hot Chips konferansında, 18A‑P üretim sürecinin düşük voltajda %30 daha yüksek çalışma frekansı sağladığını duyurdu. Bu iyileşme, önümüzdeki yıl piyasaya çıkması planlanan Diamond Rapids Xeon ve Nova Lake Core işlemcilerinde kullanılacak.

GAA (Gate‑All‑Around) transistörleri ve arkadan güç dağıtımı (BSPD) ile birlikte Power Boost adlı çift temaslı mimari, düşük voltajda direnç kayıplarını azaltarak frekans artışını mümkün kılıyor. Ölçümler, aynı sınıftaki FinFET çekirdeklerine kıyasla 0,5 V’da %30 frekans, aynı güçte %9 performans ya da aynı performansta %18 enerji tasarrufu sağladığını gösteriyor.

Intel, yüksek voltajda interconnect gecikmelerinin hâlâ sınırlayıcı olduğunu ve bu sorunu çözmek için ruthenium interconnect ve katmanlı mantık gibi ileri malzeme ve paketleme tekniklerini araştırdığını belirtti. Yeni çipler, 256 çekirdeğe kadar çıkabilecek ve merkezi IO tasarımıyla AI ölçekli iş yüklerine daha iyi bellek erişimi sunacak.