Samsung, FMS 2026'da tanıttığı zHBM teknolojisiyle AI hızlandırıcıları için bellek ve depolama sınırlarını itiyor. Bu yeni teknoloji, HBM bellek yığınlarını doğrudan AI çipleri üzerine yerleştirerek, veri aktarım hızlarını artırıyor ve enerji verimliliğini üç katına çıkarıyor.

zHBM, mevcut HBM5 çözümlerine göre sekiz kat daha yüksek performans ve on kat daha yüksek bellek yoğunluğu sunuyor. Ayrıca, termal direnci yarıya indirerek soğutma gereksinimlerini azaltıyor. Samsung, bu teknolojiyi henüz erken aşamada olduğunu belirtiyor, ancak AI hızlandırıcıları için gelecek nesil çözümler üzerinde çalışıyor.

Samsung'un V10 BV-NAND teknolojisi ise 400'den fazla katmanlı hibrit bağlama yöntemiyle depolama yoğunluğunu %58 artırıyor. Bu teknoloji, okuma, yazma ve giriş-çıkış performansını da iyileştiriyor. Samsung, bu teknolojiyi 1000'den fazla katmanlı depolama çözümlerine yönelik çalışmalarının ilk adımı olarak görüyor.