Samsung, yapay zekâ iş yükleri için yeni bellek teknolojileri geliştirdi. Şirket, zHBM adında işlemciye doğrudan yığınlanmış yüksek bant genişliği bellek ve zNAND-O adında kenar yapay zekâ için düşük gecikmeli depolama çipleri açıkladı. Bu teknolojiler, veri merkezlerindeki büyük ölçekli yapay zekâ eğitim iş yükleri ve kenar yapay zekâ uygulamaları için tasarlandı.

zHBM, mevcut HBM5 teknolojisine göre sekiz kat daha yüksek performans sunmayı hedefliyor. Wafer bonding yöntemiyle, zHBM, HBM5'e göre on kat daha yüksek bellek yoğunluğu, üç kat daha iyi enerji verimliliği ve yarıya yakın termal direnci sağlıyor. Bu sayede, yüksek kapasiteli ve yüksek bant genişliğine sahip sistemlerin daha stabil ve soğutması daha kolay hale gelmesi amaçlanıyor.

zNAND-O, Samsung'un V-NAND teknolojisi üzerine inşa edilmiş bir yüksek performanslı NAND çözümüdür. Dört ve sekiz katmanlı versiyonları geliştiriliyor. Bu çözüm, yüksek alan verimliliği, iyileştirilmiş giriş/çıkış performansı ve düşük gecikme süresi ile gerçek zamanlı, veri yoğun yapay zekâ uygulamalarını desteklemek için tasarlandı.