Samsung, HBM4 belleklerinin verimlilik oranını %80'e çıkardı. Bu başarı, şirketin AI DRAM pazarındaki konumunu güçlendiriyor ve SK Hynix'in liderliğini tehdit ediyor. Samsung, bu başarıyı 10nm sınıfı DRAM işlem teknolojisi, 4nm mantık işlemi ve 11.7-13.0 Gbps pin hızları gibi yeniliklerle elde etti.

HBM4 bellekleri, 12-Hi yığınlarda 36 GB ve 16-Hi yığınlarda 48 GB kapasite sunuyor. Ayrıca, 3.3 TB/s bant genişliği, %40 daha iyi enerji verimliliği ve %10 daha iyi termal direnci ile HBM3E'ye göre %30 daha iyi ısı dağıtımı sağlıyor. Samsung, bu başarıyı hızlı ve optimize edilmiş bir üretim planı ile elde etti.

Samsung, HBM4 belleklerinin verimlilik oranını %80'e çıkardıktan sonra, HBM4e belleklerinin güvenilirlik test verimliliğini %70'e çıkardı. Şirket, bu başarı ile NVIDIA'nın Rubin Ultra ve MI500 serisi için de Samsung'un HBM4 belleklerini kullanmasını hedefliyor.