Huawei'nin Kirin 9030 yonga setinin incelenmesi, SMIC'in N+3 olarak adlandırılan üçüncü nesil 7nm sınıfı üretim teknolojisinin önemli ilerlemeler kaydettiğini ortaya koydu. SemiAnalysis tarafından yapılan analize göre, bu süreç Intel'in 18A teknolojisinden daha dar bir metal aralığına sahipken, transistör yoğunluğu açısından TSMC'nin N6 sürecini geride bırakıyor.

SMIC'in N+3 süreci, 32.5nm'lik minimum metal aralığı sunarak Intel 18A'nın birçok yüksek performanslı hücresinde kullanılan yaklaşık 36nm'lik aralığı nominal olarak aşıyor. Ayrıca, tahmini transistör yoğunluğu metrekare başına yaklaşık 113.4 milyon transistör (Mtr/mm2) olup, TSMC'nin EUV kullanan N6 sürecinin 107.7 Mtr/mm2'lik yoğunluğundan daha yüksek.

Bu yüksek transistör yoğunluğuna ulaşılması, SMIC'in EUV litografi kullanmadan DUV çoklu desenleme tekniklerini, özellikle de en sıkı katmanlarda kendinden hizalı dörtlü desenlemeyi ve kapsamlı tasarım-teknoloji ortak optimizasyonunu (DTCO) kullanmasıyla mümkün oldu. Ancak bu yöntemler, üretim karmaşıklığını, maliyeti ve verim risklerini artırabilir.

Elde edilen yoğunluğa rağmen, Kirin 9030'un performansı yaklaşık üç yıl önceki amiral gemisi işlemcilerle kıyaslanabilir düzeyde kalırken, modern rakiplerine göre enerji verimliliği açısından dezavantajlı olduğu belirtiliyor. Bu durum, transistör yoğunluğunun tek başına genel süreç rekabetçiliğini belirlemediğini gösteriyor; Intel 18A gibi süreçler hem daha yüksek yoğunluk hem de önemli ölçüde daha iyi performans verimliliği sunuyor.