IntelはHot Chips会議で、18A‑P製造プロセスが低電圧で30%高い動作周波数を実現したと発表した。この改善は、来年発売予定のDiamond Rapids XeonおよびNova Lake Coreプロセッサで採用される。

GAA（Gate‑All‑Around）トランジスタと背面電力供給（BSPD）を組み合わせたPower Boostという二重接続アーキテクチャにより、低電圧での抵抗損失が削減され、周波数向上が可能になる。測定結果は、同クラスのFinFETコアと比較して0.5 Vで30%の周波数向上、同電力で9%の性能向上、または同性能で18%のエネルギー削減が実現できることを示している。

Intelは高電圧でのインターコネクト遅延が依然として制約となっており、この課題を解決するためにルテニウムインターコネクトや層状ロジックといった先端材料・パッケージング技術を検討していると述べた。新しいチップは最大256コアに拡張でき、センタライズドIO設計によりAI規模のワークロードに対してより良いメモリアクセスを提供する。