サムスンはFMS 2026で発表したzHBM技術で、AIアクセラレータ向けのメモリとストレージの限界を押し上げている。この新技術はHBMメモリスタックを直接AIチップ上に配置することで、データ転送速度を向上させ、エネルギー効率を3倍に高めている。

zHBMは現行のHBM5ソリューションと比べて8倍の性能と10倍のメモリ密度を提供する。また、熱抵抗を半分に減らし、冷却要件を低減している。サムスンはこの技術がまだ初期段階であると説明しているが、AIアクセラレータ向けの次世代ソリューションの開発に取り組んでいる。

サムスンのV10 BV-NAND技術は400層以上のハイブリッド接続方式でストレージ密度を58%向上させている。この技術は読み書きと入出力性能も改善している。サムスンはこの技術を1000層以上のストレージソリューションに向けた取り組みの第一歩と位置付けている。