サムスンはHBM4メモリの効率を80%に向上させた。この成果は、同社のAI DRAM市場での地位を強化し、SKハイニックスのリーダーシップに脅威を与えている。サムスンは、10nmクラスのDRAMプロセス技術、4nmロジックプロセス、11.7-13.0Gbpsのピン速度などの革新によってこの成果を達成した。

HBM4メモリは、12-Hiスタックで36GB、16-Hiスタックで48GBの容量を提供している。また、3.3TB/sの帯域幅、40%向上したエネルギー効率、10%向上した熱耐性を備え、HBM3Eと比べて30%向上した熱放散を実現している。サムスンは、迅速で最適化された生産計画によってこの成果を達成した。

サムスンはHBM4メモリの効率を80%に向上させた後、HBM4eメモリの信頼性テスト効率を70%に向上させた。同社はこの成果を通じて、NVIDIAのRubin UltraおよびMI500シリーズでもサムスンのHBM4メモリを使用することを目指している。