チップ上の小さなひび割れは熱伝導を低下させ、局所的な熱伝導率を4〜5倍低くできる。MITの研究者は、この小さな欠陥が熱伝導に与える影響を明らかにした。

研究者は厚さ500ナノメートルの窒化ガリウム（GaN）膜を対象に実験した。GaNは高出力エレクトロニクスに有望な材料である。しかし、加工過程で膜に顕微鏡レベルの欠陥が生じた。

研究者はこれらの欠陥が熱伝導に与える影響を調査した。欠陥付近では、熱伝導が周囲のGaNに比べて4〜5倍低いことが判明した。また、欠陥はGaNとシリコン間の熱境界コンダクタンスを約25%低下させた。