投資銀行UBSの新報告によると、中国はASMLのEUVリソグラフィ装置に10年で追いつくことはできない。中国の進展は、ASMLが45nm以降のノード向けにEUV装置をテストした2004年のレベルに似ている。米国の制裁により、中国の大手チップメーカーはEUV装置を入手できない。

UBSは、中国の深紫外線リソグラフィ（DUV）分野でASMLに2〜5年で追いつくと予測している。

深紫外線リソグラフィは、超純水層を用いて光の波長を短くし解像度を向上させる。しかし効率と処理速度の差により、中国はASMLへの依存を続けるだろう。ASMLの2025年売上の33％が中国由来で、同社は2027年にこの比率が15〜20％に低下するとモデル化し、DUV販売制限をリスクと見ている。

UBSの評価は特許分析に基づく。注目すべき企業は政府支援のSMEEとベンチャーのShanghai Yuliangsheng Technologyだ。

これらの企業はEUVではなくDUVの開発に注力している。結局のところ、中国がDUVの生産性をどれだけ速く向上させられるかは不透明で、これがASMLの価格設定力と長期的な中国市場シェアに直接影響する。