中国メディアが共有したゴールドマン・サックスの報告書によると、中国の7ナノメートル以下のプロセスで製造されるウェハーの供給不足は、2025年の92%から2035年には34%へ縮小する可能性がある。この予測は、国内生産の増加と、特にSMICの生産能力拡大を前提としている。報告書は、SMICが先端ウェハーの月間生産能力を2026年から2031年にかけて毎年3万～5万枚増やし、その後2035年まで毎年さらに2万枚を追加すると想定している。

この増加により月間総供給量は41万枚に達する一方、需要は年率17%の成長で61万9000枚に拡大する。また、製造歩留まりは2026年の23%から2030年に50%、2035年には75%へ上昇すると見込まれている。ただし、リソグラフィの障壁は依然として大きな壁であり、中国は極端紫外線（EUV）露光装置へのアクセスが制限されたままで、ASMLの深紫外線（DUV）システムに大きく依存し続けている。

報告書は、中国の半導体製造設備投資が2030年までに820億ドルに達し、これらの投資は人工知能の需要と国内エコシステムの発展に関連していると指摘する。また、生産量ベースの自給率は約70%に達する一方、金額ベースの供給不足は依然として大きい。