Samsung ha aumentado la eficiencia de sus memorias HBM4 al 80%. Este logro fortalece la posición de la empresa en el mercado de DRAM para IA y amenaza el liderazgo de SK Hynix. Samsung logró este avance con innovaciones como la tecnología de proceso DRAM de clase 10nm, el proceso lógico de 4nm y velocidades de pin de 11.7-13.0 Gbps.
Las memorias HBM4 ofrecen capacidades de 36 GB en pilas de 12-Hi y 48 GB en pilas de 16-Hi. Además, proporcionan un ancho de banda de 3.3 TB/s, un 40% más de eficiencia energética y un 10% mejor resistencia térmica, lo que permite una disipación de calor un 30% mejor que la HBM3E. Samsung logró este avance con un plan de producción rápido y optimizado.
Después de aumentar la eficiencia de las memorias HBM4 al 80%, Samsung elevó la eficiencia de las pruebas de confiabilidad de las memorias HBM4e al 70%. La empresa apunta a que NVIDIA utilice las memorias HBM4 de Samsung en sus series Rubin Ultra y MI500.