Investigadores del Instituto de Ciencia de la India (IISc) demostraron que un material puede transitar entre dos estados magnéticos fundamentales mediante corriente eléctrica. Este descubrimiento podría abrir un nuevo camino para dispositivos de memoria y lógica energéticamente eficientes. Los investigadores estudiaron el óxido complejo Sm₁₋ₓSrₓMnO₃ y descubrieron que la corriente eléctrica puede cambiar el estado magnético del material. Esta transición implica un cambio del estado ferromagnético al antiferromagnético, lo que altera la resistencia eléctrica del material.
Esta transición, activada por corriente eléctrica, cambia la fase magnética del material, lo que podría ser útil para tecnologías de memoria y lógica criogénicas. Los investigadores demostraron que esta transición es reversible y que los orbitales electrónicos del material se reordenan. Esto ofrece un enfoque diferente para cambiar el estado magnético del material, en lugar de simplemente invertir su magnetización.
Los investigadores señalan que este descubrimiento es prometedor para circuitos de memoria y lógica criogénicos. Actualmente, están trabajando en reducir la corriente y la energía requeridas para la transición, adaptar el dispositivo a un rango más amplio de temperaturas de funcionamiento y integrar estos dispositivos en circuitos de memoria y lógica criogénicos más grandes.