シカゴ大学の分子工学部門での研究により、Fe5GeTe2と呼ばれる2D材料が、電子が遅く集団的に動く電荷秩序状態にあることが明らかになった。この状態は理論的予測から外れており、新しいメモリデバイスの可能性を示している。

材料の電子バンドが平坦であることが確認され、電子が通常よりもはるかに遅く動くことが示された。これは、何百万もの電子が同時に動く量子多体現象であり、材料の磁気相互作用が理論的予測と異なることを示している。

研究者たちは、この現象がメモリストレージシステムで情報をエンコードするために利用できると述べ、材料が室温で動作できるように研究を継続している。