サムスンはFuture of Memory and Storage 2026カンファレンスで、AIと汎用アプリケーション向けにzHBM、zNAND-O、BV-NANDの3つの新メモリ技術を発表した。これらの技術はすべて、ウェハーボンディング技術を基に開発されている。

zHBMはHBM5に比べて8倍の性能、10倍のメモリ密度、3倍のエネルギー効率、50%低い熱抵抗を実現するように設計されている。ただし、サムスンのこれらの主張は、HBM5標準がまだ完全に定義されていないため、不確実性を含んでいる。

zNAND-Oは低遅延と高I/O性能を提供し、エッジAIシステム向けに開発されている。BV-NANDは400層V-NAND技術を採用し、より高いI/O速度とストレージ密度を提供する。