Paul Scherrer Instituteの研究者は、金属支援化学エッチング（MacEtch）プロセスに、薄いクロム、アルミナ、またはシリコン酸化物の中間層を導入し、シリコン上に超高アスペクト比ナノ構造の作製に成功した。

中間層はフォトレジストと金属触媒の間を絶縁し、表面の徹底的な洗浄を可能にする。これにより触媒の汚染が防止され、エッチングがより均一に進行する。結果として、面積の最大50%にわたる高密度ナノ構造が得られ、これらは幅の250倍の長さを有した。

本研究は、さまざまな中間層材料やパターニング技術と互換性があることを示す一方で、手法の量産への統合やコスト効率はまだ試験段階にある。X線光学などの高精度応用への利用可能性が指摘されている。