京都大学の研究者は、シリコンカーバイド（SiC）ベースのJFETトランジスタが600°Cで問題なく動作することを発表した。研究は2026年8月17日にAPL Electronic Devices誌に掲載された。

新設計は従来のトップゲート構造の代わりにボトムゲートアーキテクチャと高品質の基板絶縁を採用し、しきい値電圧の制御が向上し、高温下でのリーク電流が理論限界に近づいた。従来のトップゲートJFETでは制御の難しさと高リーク電流が主要な障壁だった。

技術はまだ実用システムへの統合段階にあり、より複雑な回路、ウェーハレベルの製造、過酷な環境に耐えるパッケージングソリューションの開発が必要だ。SiCは成熟したパワーデバイス材料であると強調されるが、量産への移行には重要なステップが残っている。