ライス大学の研究者たちは、マンガンテルル化合物で単一の磁場を分離することで、材料の磁性構造をより明確に観察し、電気信号を制御する方法を見つけた。この研究は、新たに認知された磁性の一種であるオルターマグネティズムに焦点を当て、スピンベースの電子デバイスのための新たな道を示している。マンガンテルル化合物は通常複数の磁場を生成するが、研究者たちは単軸歪みを加えることで材料を単一の磁場に制限し、磁性構造をより明確に測定することができた。

歪みを加えると、マンガンテルル化合物では約230ケルビン（マイナス45ファーレンハイト）で、ホール信号の極性を変えることが観察された。これは、材料の磁気相互作用を大きく変えることなく電気応答を変えることができることを示している。研究者たちは、この歪みが電子が材料の電子構造内で動く際の振る舞いを記述するベリー曲率という性質を変えることでこの効果が生じると考えている。

この研究は、オルターマグネティズムが将来のメモリや高周波電子デバイスでの使用に一歩近づいたことを示している。研究者たちは、この方法が実用的な電子デバイスで磁性特性を制御するために使用できる可能性があると予測している。