Los investigadores del Paul Scherrer Institute, al añadir una fina capa intermedia de cromo, óxido de aluminio y/o dióxido de silicio al proceso de grabado químico asistido por metal (MacEtch), lograron producir nanostructuras de ultra alta relación de aspecto en silicio.
La capa intermedia aísla el fotorresist del catalizador metálico y permite una limpieza exhaustiva de la superficie; de este modo se evita la contaminación del catalizador y el grabado se vuelve más homogéneo. Como resultado, se obtuvieron nanostructuras densas que cubren hasta el 50 % del área y que son 250 veces más largas que su ancho.
El estudio muestra que el método es compatible con diferentes materiales de capa intermedia y técnicas de patrón, aunque la integración a producción en serie y la rentabilidad aún están en fase de pruebas. Existe potencial para su uso en aplicaciones exigentes como la óptica de rayos X.