Investigadores de la Universidad de Kyoto anunciaron que un transistor JFET basado en carburo de silicio (SiC) funciona sin problemas a 600 °C. El estudio se publicó el 17 de agosto de 2026 en la revista APL Electronic Devices.
El nuevo diseño empleó una arquitectura de puerta inferior y aislamiento bien basado en el sustrato, en lugar de la estructura tradicional de puerta superior; de este modo, el control del voltaje de umbral mejoró y la corriente de fuga a altas temperaturas se acercó al límite teórico. En los JFET de puerta superior anteriores, la dificultad de control y la alta corriente de fuga eran los principales obstáculos.
La tecnología sigue en fase de integración a sistemas prácticos; es necesario desarrollar circuitos más complejos, producción a nivel de oblea y soluciones de empaquetado que resistan condiciones ambientales extremas. Se subraya que el SiC es un material maduro para dispositivos de potencia, pero aún quedan pasos importantes para la transición a aplicaciones a escala.